嘉合劲威率先全面布局DDR5内存模组

栏目:科技简报 发布时间:2026-05-15 17:29
嘉合劲威加快导入DDR5内存技术,新一代内存以4.8Gbps高速传输和128GB超大容量突破行业瓶颈,通过存储芯片密度提升与决策反馈均衡化技术优化,显著增强内存性能表现并推动产品量产进程。

嘉合劲威正在积极布局导入DDR5内存新技术,2021年将在深圳坪山率先实现DDR5内存量产。

嘉合劲威率先全面布局DDR5内存模组(图1)

新一代的内存DDR5,一个DIMM,两个通道,将具备更快的速度,有望达到,4.8Gbps的速度,比DDR4的3.2Gbps最大速度快约50%;决策反馈均衡化,使得它可以获得更快的总线服务;更高的存储密度,单个存储芯片达到64Gb的密度,比DDR4的最大16Gbit密度高出4倍,单根内存最大可实现128GB容量。

嘉合劲威率先全面布局DDR5内存模组(图2)

嘉合劲威目前正在积极与芯片厂商沟通,导入和研发新一代的内存技术,以及筹备配置DDR5生产线,有望在2021 Q2推出单根16G容量的DDR5内存条。

嘉合劲威率先全面布局DDR5内存模组(图3)

嘉合劲威率先全面布局DDR5内存模组(图4)